SK hynix开发第三代10纳米级(1z)DDR4 DRAM...。确保数据传输速度和功率效率

今年量产准备工作已经完成,明年计划全面供货

2019-10-21     윤영실

[商业韩国=记者Yoon Young-sil] SK海力士成功开发出了采用第三代10纳米级(1z-纳米)微处理技术的16Gb DDR4 DRAM。自第二代10纳米级(1y-nano)DRAM开发以来已过去11个月。

看起来SK海力士正在加速小型化的进程。

SK海力士21日宣布已开发出第三代10纳米级16Gb(千兆)DDR4 DRAM。

根据该过程,将10纳米DRAM分为第一代(1x纳米),第二代(1y纳米)和第三代(1z纳米)。 1x纳米是10纳米后期(18-19纳米)范围内的过程。 1z纳米以10纳米中级(14至16纳米)工艺制造。

SK海力士

随着工艺的改善,半导体的生产率提高,功耗降低。

SK Hynix 1z nano DRAM实现了16Gb,这是单芯片上业界最大的容量。一个晶片产生的总存储容量比现有的1y纳米DRAM高27%。

功耗比第二代8Gb产​​品低约40%。

数据传输速率最高支持3200Mbps,这是最大的DDR4标准。通过使用新材料,它还使电容最大化,这是DRAM操作的关键要素。随着电容的增加,数据保留时间和一致性也会增加。此外,通过引入新的设计技术提高了操作稳定性。

SK Hynix并未使用EUV(极端紫外线)曝光设备来开发1z纳米DRAM。这与之前开发1z nano DRAM的三星电子相同。

SK海力士官方"使用现有的ArF(氟化氩)设备具有成本竞争力。"고 설명했다.

SK海力士是下一代移动DRAM,LPDDR5和最快的DRAM‘HBM3’它计划扩展和应用第三代10纳米级微处理技术。

李正勋D-RAM开发项目1z TF负责人"第三代10纳米级DDR4 DRAM具有业界最高的容量和速度以及电源效率。·一种适合不断变化的大容量DRAM需求的产品"이라며 "在准备今年内实现批量生产后,我将从明年开始认真供应它。"고 말했다.